Browsing by Author "Малевич, В. Л."

Now showing items 1-8 of 8

    • Влияние лазерно-индуцированных напряжений на зонную структуру тонкопленочного германия 

      Гацкевич, Е. И.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2018)
      Гацкевич, Е. И. Влияние лазерно-индуцированных напряжений на зонную структуру тонкопленочного германия / Е. И. Гацкевич, В. Л. Малевич // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 496-497.
      2019-05-10

    • Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях 

      Гацкевич, Е. И.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2018)
      Гацкевич, Е. И. Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях / Е. И. Гацкевич, В. Л. Малевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2018. - Т. 3. - С. 381.
      2019-10-04

    • Лазерно-индуцированные теплофизические процессы в эпитаксиальных германий-кремниевых гетероструктурах 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2021)
      Изучено перераспределении элементов по глубине в эпитаксиальных GeSi слоях при облучении наносекундными импульсами рубинового лазера. Проанализировано влияние сегрегации на формирование ячеистых структур в неравновесных условиях импульсного воздействия.
      2022-02-02

    • Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2014)
      В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения.
      2015-03-23

    • Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении 

      Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)
      Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными ...
      2018-06-20

    • Синхронное детектирование в терагерцовом спектрометре 

      Волович, В. В.; Синицын, Г. В.; Ляхнович, А. В.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2011)
      Синхронное детектирование в терагерцовом спектрометре / В. В. Волович [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 4-й Международной студенческой научно-технической конференции, 20-22 апреля 2011 г. : конференция посвящается 90-летию Белорусского национального технического университета (БПИ - БГПА - БНТУ) / Белорусский национальный технический университет ; ...
      2021-03-11

    • Синхронное детектирование терагерцовых импульсов 

      Волович, В. В.; Синицын, Г. В.; Ляхнович, А. В.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2010)
      Синхронное детектирование терагерцовых импульсов / В. В. Волович [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2010. - С. 210.
      2018-01-11

    • Терагерцовый плазменный волновод с внешним слоем графена 

      Зезюля, П. А.; Гацкевич, Е. И.; Малевич, В. Л.; Синицын, Г. В. (БНТУ, 2020)
      Терагерцовый плазменный волновод с внешним слоем графена / П. А. Зезюля [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 258-259.
      2021-02-09